释
过热点
guò rè diǎn · ㄍㄨㄛˋ ㄖㄜˋ ㄉㄧㄢˇ
修撰于 2026-07-01 04:01:37
音义
| 拼音 | guò rè diǎn |
|---|---|
| 字母 | guo re dian |
| 首字母 | grd |
| 注音 | ㄍㄨㄛˋ ㄖㄜˋ ㄉㄧㄢˇ |
| 注音符号 | ㄍㄨㄛ ㄖㄜ ㄉㄧㄢ |
广训
过热点是一种冶金、电子工程的专业术语。用深能级瞬态谱(DLTS)和液晶显示等技术分析了软特性硅功率器件体内‘’过热点‘’的微观结构及形成原因。表明：在高温扩散工艺中，较大温度梯度产生的局部热应力场，造成重金属杂质择优淀积，使晶体缺陷电激活,是产生体内‘’过热点‘’的根源。根据热加速场发射效应解释了‘’过热点"对硅功率器件电学性能的影响。