释
外延生长
wài yán shēng zhǎng · ㄨㄞˋ ㄧㄢˊ ㄕㄥ ㄓㄤˇ
修撰于 2026-06-30 12:57:26
音义
| 拼音 | wài yán shēng zhǎng |
|---|---|
| 字母 | wai yan sheng zhang |
| 首字母 | wysz |
| 注音 | ㄨㄞˋ ㄧㄢˊ ㄕㄥ ㄓㄤˇ |
| 注音符号 | ㄨㄞ ㄧㄢ ㄕㄥ ㄓㄤ |
广训
外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面。