释
衬偏效应
chèn piān xiào yīng · ㄔㄣˋ ㄆㄧㄢ ㄒㄧㄠˋ ㄧㄥ
修撰于 2026-06-30 04:00:19
音义
| 拼音 | chèn piān xiào yīng |
|---|---|
| 字母 | chen pian xiao ying |
| 首字母 | cpxy |
| 注音 | ㄔㄣˋ ㄆㄧㄢ ㄒㄧㄠˋ ㄧㄥ |
| 注音符号 | ㄔㄣ ㄆㄧㄢ ㄒㄧㄠ ㄧㄥ |
广训
MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化（不随栅极电压而变化）。
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