释
肖特基缺陷
xiào tè jī quē xiàn · ㄒㄧㄠˋ ㄊㄜˋ ㄐㄧ ㄑㄩㄝ ㄒㄧㄢˋ
修撰于 2026-06-30 01:15:13
音义
| 拼音 | xiào tè jī quē xiàn |
|---|---|
| 字母 | xiao te ji que xian |
| 首字母 | xtjqx |
| 注音 | ㄒㄧㄠˋ ㄊㄜˋ ㄐㄧ ㄑㄩㄝ ㄒㄧㄢˋ |
| 注音符号 | ㄒㄧㄠ ㄊㄜ ㄐㄧ ㄑㄩㄝ ㄒㄧㄢ |
广训
肖特基缺陷是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中，在T>0K时，由于晶格热振动，能量大的原子离开原格点迁移到晶体表面或晶界，而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM（或VX）表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作(VM VX)。空位可以是中性，也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。