释
耗尽区
hào jǐn qū · ㄏㄠˋ ㄐㄧㄣˇ ㄑㄩ
修撰于 2026-06-29 20:05:11
音义
| 拼音 | hào jǐn qū |
|---|---|
| 字母 | hao jin qu |
| 首字母 | hjq |
| 注音 | ㄏㄠˋ ㄐㄧㄣˇ ㄑㄩ |
| 注音符号 | ㄏㄠ ㄐㄧㄣ ㄑㄩ |
广训
耗尽区是指在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降的界面区域。
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