释
干法刻蚀
gàn fǎ kè shí · ㄍㄢˋ ㄈㄚˇ ㄎㄜˋ ㄕˊ
修撰于 2026-06-30 17:55:50
音义
| 拼音 | gàn fǎ kè shí |
|---|---|
| 字母 | gan fa ke shi |
| 首字母 | gfks |
| 注音 | ㄍㄢˋ ㄈㄚˇ ㄎㄜˋ ㄕˊ |
| 注音符号 | ㄍㄢ ㄈㄚ ㄎㄜ ㄕ |
广训
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。