释
锁拴效应
suǒ shuān xiào yīng · ㄙㄨㄛˇ ㄕㄨㄢ ㄒㄧㄠˋ ㄧㄥ
修撰于 2026-07-02 01:13:55
音义
| 拼音 | suǒ shuān xiào yīng |
|---|---|
| 字母 | suo shuan xiao ying |
| 首字母 | ssxy |
| 注音 | ㄙㄨㄛˇ ㄕㄨㄢ ㄒㄧㄠˋ ㄧㄥ |
| 注音符号 | ㄙㄨㄛ ㄕㄨㄢ ㄒㄧㄠ ㄧㄥ |
广训
IGBT锁拴效应IGBT在结构上隐含了N+PN-P+晶闸管。在发射极一侧（MOSFET源极）空穴电流流过短路电极的电压降一旦在0.5V以上时，就会有部分空穴流经PN+结，造成大量电子注入到P区并进入长基区，从而导致等效晶闸管的开通触发。这种触发现象称之为锁拴效应（latch up）。
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